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收購Tower半導體迎來新進展 英特爾離目標又更近一步

作者:陳玲麗時間:2022-04-28來源:電子產品世界收藏

為了重振領導地位,現在一方面投資數百億美元自建晶圓廠,另一方面也在拓展晶圓代工業務。近日,2月份宣布總價值54億美元(約合人民幣353.51億元)的 Semiconductor)并購案迎來新的進展。

本文引用地址:http://www.advisorsnote.com/article/202204/433600.htm

4月25日,發布新聞稿宣布在臨時股東大會上,公司股東批準了與的合并。不過,該交易仍需獲得某些監管部門的批準和慣例成交條件。今年年初,預計整個交易將在12個月內完成。

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直到交易完成前,英特爾代工服務事業部(IFS)和Tower半導體將獨立運營。

Tower半導體是誰?

Tower半導體是成立于1993年以色列的一家半導體專業代工廠,總部位于以色列北部拿撒勒附近的Migdal HaEmek。為無晶圓廠公司和IDM公司提供服務,并提供每年超過200萬個初制晶圓(waferstarts)產能。

Tower半導體在特種工藝上處于領先地位,可提供0.8um~65nm少量多樣化的特殊制程工藝,主要生產RF-SOI、PMIC、CMOSSensor、discrete等產品。同時在模擬芯片代工領域排名第一,其射頻和高性能模擬電路領域技術可支持眾多消費類、工業設施級和汽車電子應用的高速、低功耗產品。

2021年第四季,Tower半導體以4.12億美元的營收在全球晶圓代工市場位居第九名。根據報告,Tower半導體2021年營業收入為15.082億美元,同比增長19.16%,凈利潤為1.5億美元,同比增加82.27%,毛利率為21.8%,凈利率為10.2%,研發費用占營業收入比例為5.7%。

Tower半導體公司的主要固定資產(即生產廠)分布在三個不同的地區:日本、美國和以色列,設立共計7座廠房,分別達3.74億美元、2.64億美元和2.39億美元。整體12英寸約當產能占全球約3%。其中,以8英寸產能較多,占全球8英寸產能約6.2%。

英特爾加碼代工能力

2021年3月,英特爾首席執行官帕特·基辛格對英特爾原有的IDM模式進行了大刀闊斧的革新,提出了IDM2.0戰略。

晶圓制造一向是英特爾的優勢,但近五年來,隨著晶圓制造進入10nm工藝節點以下,這一優勢逐漸喪失殆盡。英特爾在10nm以下工藝進展步履維艱,從技術角度當然有很多值得檢討的地方,但IDM模式固有弊端才是最大問題,這也就是帕特·基辛格一上任就提IDM2.0與重啟代工業務的原因。

IDM2.0概念和重啟晶圓代工服務,均指向了當前英特爾晶圓制造面臨的困境:單一廠商及有限品種產品難以高效分擔發展先進工藝所需的巨大成本 —— 不僅是晶圓制造設備投入的數百億美元,還有高昂的技術研發成本和運營成本及每代工藝攤銷時間成本 —— 先進工藝只有跳脫出原有IDM模式才有發展動力。

IDM2.0計劃由三個關鍵部分組成:

a. 英特爾希望繼續在內部完成大部分產品的生產;

b. 希望進一步增強與第三方代工廠的合作;

c. 將投資打造世界一流的代工業務,成為代工產能的主要提供商。

其中加大自家工廠的晶圓代工服務是英特爾IDM2.0模式中的重頭戲。為此,英特爾專門成立一個新的獨立業務部門“英特爾制造服務部(IFS,Intel Foundry Services )”。英特爾未來計劃成為美國、歐洲客戶的主要晶圓代工、封裝服務供應商之一,IFS將為客戶提供晶圓代工及封裝服務,值得注意的是,其不限于自家的X86,還提供Arm、RISC-V等多種IP組合的服務。

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隨后更是宣布了多項晶圓廠新建計劃,2021年3月,英特爾先在美國亞利桑那州投資200億美元新建兩座晶圓廠,兩座新工廠名為Fab52及Fab62,已于2021年9月動工奠基,計劃在2024年全面投入運營;2021年5月,英特爾宣布投資35億美元在美國新墨西哥州建立芯片工廠,包括引入先進的3D封裝方案Fooveros,以升級新墨西哥州封測廠先進封裝能力。

2022年1月,英特爾宣布要在美國俄亥俄州投資200億美元打造全球最大的晶圓生產基地,未來十年公司在俄亥俄州的總投資將超過1000億美元,最多新建8個晶圓廠,從而打造世界上最大的芯片制造基地之一。

同時,英特爾在2022年投資者大會表示,隨著汽車變得比以往任何時候都更電動、更安全、更智能和更互聯,汽車行業目前正在經歷一場深刻的轉變。其中汽車半導體行業的收入在2030年預計達到1150億美元。

為了應對這種需求增長的情況,英特爾將在歐洲至少建設兩座工廠,還將在愛爾蘭工廠加強代工業務,歐洲的新廠區最終可能多達8家制造工廠。投資規模在今后十年可能達到800億歐元(約合人民幣6000億元),領域涵蓋芯片的研發、制造,以及先進的封裝技術。

在擴充產能的同時,英特爾也在進一步提升其先進芯片制程工藝研發進度,以追趕臺積電和三星。

前段時間,ASML公布了其新一代High-NAEUV光刻機的消息,該款光刻機將在2023年對外開放初期瀏覽,2024年到2025年對外開放給顧客展開產品研發并從2025年逐漸開始批量生產。

據ASML發言人透露,High-NAEUV光刻機采用了新穎的光學設計,使用了更銳利的0.55光圈,具有更高的分辨率,這將使芯片特征縮小1.7倍,芯片密度增加2.9倍。

英特爾全球技術開發團隊負責人AnnKelleher透露,英特爾與ASML一直以來都是長期的戰略合作伙伴,關系非常密切,英特爾參與了High-NAEUV光刻機的定義與構建。所以,英特爾有望率先獲得業界第一臺High-NAEUV光刻機,并計劃在2025年成為首家在生產中實際采用High-NAEUV的芯片制造商。

對于英特爾來說,擁有了High-NAEUV光刻機,將幫助其在原有的先進芯片制程工藝上獲得巨大突破,贏得更多客戶。

再加上這次Tower半導體進展順利,未來英特爾在晶圓代工服務產業上將獲得巨大突破。

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英特爾在宣布IDM2.0新愿景并開始建立自己代工能力的同時,也立即開始尋找自身以外的助力。生產別人設計芯片的公司名單相當短,并沒有那么多參與者。當英特爾觀察和爭論是在最先進的技術或第二梯隊獲得更多的芯片生產能力時,得到了今天的結論,成為第二梯隊,而對于內存芯片(Flash)英特爾決定不涉及。通過這樣的分析,目標就很明確了 —— Tower半導體。

Tower半導體也是其擴大晶圓代工業務影響力的重要舉措,推進IDM2.0戰略。在英特爾代工事業正式與Tower半導體整合后,將助英特爾在智能手機、工業以及車用等領域擴大發展,英特爾也將正式進入前十大晶圓代工排名。

Tower半導體會成為英特爾的另一條增長路徑,Tower半導體擁有英特爾沒有的DNA。英特爾Tower半導體考量主要有二:

· 可助英特爾補足成熟制程技術和拓展客戶基礎,由于Tower半導體長期專注于多元成熟制程工藝,受到通訊技術升級、新能源車滲透率增加等因素帶動,其中又以RF-SOI及PMIC需求相對強勁,正能彌補英特爾代工型態較單一且客戶局限的問題。

· 其地緣政治下本土化生產與供應分配的考量,Tower半導體工廠據點分布于亞洲、EMEA(歐洲、中東、非洲三地區的合稱)與美洲三大區域,符合英特爾降低供應鏈過度集中于亞洲的策略方向,且英特爾在美國與以色列皆有長期投資及工廠據點,產能調度可望藉由收購更加彈性,進一步避免因地緣政治風險伴隨而來的斷鏈危機。

值得注意的是,這已不是英特爾第一次對以色列科技公司“出手”, 2017年3月,英特爾選擇溢價三分之一以153億美元的價格,收購了曾經的ADAS(Advanced Driver Assistance System的簡稱,即“高級駕駛輔助系統”)霸主Mobileye,這也是以色列科技公司有史以來最大的一次收購。

以色列已成為英特爾繼美國之后的第二大業務,英特爾收購了Mobileye、Habana、Cnveg、Screenovate,現在又收購了Tower半導體。英特爾不肯定會在制造領域進行更多的收購,但在以色列會有更多的收購



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