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外媒稱三星3nm工藝良品率可能仍遠不及預期 僅10%-20%

作者:陳玲麗編譯時間:2022-04-21來源:電子產品世界收藏

據國外媒體報道,在2月份有報道稱臺積電的工藝遇到難題,可能影響到AMD、英偉達等部分客戶的產品路線圖之后,又出現了電子工藝的遠不及預期的消息。

本文引用地址:http://www.advisorsnote.com/article/202204/433352.htm

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韓國媒體的報道顯示,電子制程工藝的,才到10%-20%,遠不及公司期望的目標,在提升3nm工藝的良品率方面,也陷入了掙扎。另外,4nm工藝制造的良率也不盡如人意,僅為30%-35%。

三星電子和臺積電是目前已順利量產5nm工藝,并在推進3nm工藝量產事宜的晶圓代工商,與臺積電繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)架構不同,三星電子3nm工藝采用的是全環繞柵極晶體管(GAA)技術 —— GAA可以實現四邊充當電流通道,而FinFET則只有三邊。

在全球晶圓代工市場份額連續多年遠不及臺積電的三星電子,對他們的3nm制程工藝寄予厚望。在去年6月份就曾有報道稱,三星電子的3nm工藝已成功流片,距離量產又更近了一步,計劃在今年6月份開始量產。

不過,三星電子3nm工藝的良品率遠不及預期,還只是外媒的報道,并不是三星方面公布的消息。但如果三星電子3nm工藝的良品率,真如外媒報道的那樣遠低于目標,可能也會影響到最終的交付量,進而影響相關廠商的產品路線圖。

值得注意的是,在今年2月份曾有報道稱,三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應用處理器,將交由臺積電代工,同時由于4nm工藝的良品率低,高通也已將部分驍龍8 Gen 1交由臺積電代工,不再由三星電子獨家代工。



關鍵詞: 三星 3nm 良品率

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