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揚杰科技推出N80V-N85V系列MOSFET產品,采用SGT工藝

作者:時間:2022-04-14來源:揚杰科技收藏

4月8日消息,揚杰科技最新推出N80V-N85V系列產品,采用先進的SGT (Shield  Gate  Trench  ) 制程工藝,針對電機驅動、BMS等應用設計,優化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時,提升抗沖擊電流能力。

本文引用地址:http://www.advisorsnote.com/article/202204/433065.htm

N80V-N85V系列MOSFET產品具有TO-220、TO-263、TO-252、PDFN5060等多種封裝形式可以選擇。廣泛應用于電池管理系統、儲能系統、逆變電源系統、電機驅動系統、電源管理系統等,是其核心的功率控制部件。

揚杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、N100V、N120V等多個SGT工藝系列產品,解決客戶的多種應用需求。

產品特點:

1.采用SGT工藝,極低的Rdson和優異的開關特性,帶來更低的FOM,減小系統損耗。

2. 和傳統Trench工藝比Ciss/Qg參數都有大幅優化,設計MOSFET驅動時有更多選擇。

3.針對系統應用中的各種異常工作狀態,優化MOS產品EAS特性,提高系統可靠性。

電性參數:

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關鍵詞: MOSFET 楊杰科技

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